TSMC zet vanaf 2030 in op High-NA EUV van ASML
TSMC en ASML hebben een breed gedragen industrie-initiatief gestart om de halfgeleidersector te begeleiden in de overstap naar grotere, 12-inch fotomaskers. Het initiatief werd op 7 september voorafgaand aan de SPIE BACUS-conferentie aangekondigd en heeft als doel om tegen 2031 een proeflijn voor 12-inch maskers operationeel te hebben.
Hoewel de eerste adoptie van High-NA EUV-lithografie plaatsvindt met de huidige traditionele 6-inch maskers, is de overstap naar 12-inch formaten cruciaal voor de langetermijn toekomst van de chipindustrie. Het grotere formaat verhoogt de fabrieksproductiviteit, verlaagt de productiekosten per chip en neemt 'stitching'-beperkingen (het aaneennaaien van patronen) weg. Hierdoor kunnen geavanceerde chiptalenten de volledige capaciteit van ASML's High-NA EUV-scanners benutten.
Volumeproductie vanaf 2030
TSMC is van plan om de High-NA EUV-technologie van ASML vanaf 2030 in te zetten voor volumeproductie op de meest geavanceerde chipprocedés. Door de toenemende complexiteit van transistorarchitecturen voor AI-toepassingen zal het aantal chiplagen dat High-NA EUV vereist snel toenemen.
"Samenwerking in de keten maakt het mogelijk om complexe problemen op te lossen die geen enkel bedrijf alleen kan aanpakken," stelt TSMC-voorzitter en CEO Dr. C.C. Wei. "Door expertise uit de gehele waardeketen te bundelen, willen we grensverleggende technologie toegankelijk en schaalbaar houden."
ASML-CEO Christophe Fouquet voegt toe: "De transitie naar 12-inch maskers stelt de industrie in staat om te voldoen aan de vraag naar kleinere, snellere en energiezuinigere chips."
De tijdslijn van het initiatief mikt op volledige gereedheid van de lithografiesystemen voor 12-inch maskers rond 2033. Verschillende grote chipfabrikanten, maskermakers en leveranciers uit de internationale halfgeleidersector hebben al aangegeven zich bij het initiatief aan te sluiten.
Meer over processor
Over Witold Kepinski
