Samsung brengt High-NA EUV van ASML naar DRAM-geheugen
Samsung Electronics en ASML hebben een aanzienlijke uitbreiding van hun strategische partnerschap bekendgemaakt. De twee chiggiganten gaan intensiever samenwerken op het gebied van High-NA EUV-lithografie. Een belangrijk onderdeel hiervan is dat Samsung als eerste in de sector plant om High-NA EUV vanaf 2028 in te zetten voor de grootschalige productie van geavanceerd DRAM-geheugen.
Daarnaast sluit Samsung zich aan bij het brede industrie-initiatief om de overstap te maken van het traditionele 6-inch fotomaskerformaat naar een nieuw 12-inch platform. Deze transitie is essentieel om de volledige potentie van High-NA EUV-scanners te benutten, het zogeheten 'stitching' te voorkomen en de productiekosten per chip drastisch te verlagen.
Geheugen- en chipproductie klaar voor AI-tijdperk
Met de toenemende vraag naar rekenkracht en geheugencapaciteit voor kunstmatige intelligentie (AI) is de stap naar slimmere productiemethoden noodzakelijk. Door High-NA EUV in de DRAM-productie te integreren, kan de resolutie worden verhoogd en kunnen productieprocessen worden vereenvoudigd.
"Het AI-tijdperk transformeert de halfgeleiderindustrie," stelt Young Hyun Jun, Vice Chairman & CEO van Samsung Electronics. "Door onze samenwerking met ASML verder te versterken, leggen we het fundament voor de volgende generatie AI- en chipinnovaties."
ASML-CEO Christophe Fouquet noemt Samsung een van de belangrijkste innovatiepartners van de Veldhovense chipmachinefabrikant: "Nu de industrie een nieuw tijdperk betreedt dat wordt gedreven door AI, wordt nauwe samenwerking met onze klanten nog belangrijker. We kijken ernaar uit om samen met Samsung de volgende golf van halfgeleiderinnovatie mogelijk te maken."
Meer over chips
Over Witold Kepinski
